Planar AFAR มีข้อได้เปรียบที่สำคัญในแง่ของน้ำหนักและขนาดเมื่อเปรียบเทียบกับโซลูชันอื่นๆ มวลและความหนาของเว็บ AFAR ลดลงหลายเท่า ซึ่งช่วยให้สามารถใช้กับเรดาร์โฮมมิ่งขนาดเล็ก บน UAVs และสำหรับระบบเสาอากาศประเภทใหม่ - อาร์เรย์เสาอากาศแบบคอนฟอร์เมทัล เช่น ทำซ้ำรูปร่างของวัตถุ ตัวอย่างเช่นกริดดังกล่าวมีความจำเป็นในการสร้างนักสู้รุ่นต่อไปรุ่นที่หก
JSC "NIIPP" กำลังพัฒนาการรับและส่งโมดูล AFAR แบบรวมหลายช่องสัญญาณโดยใช้เทคโนโลยี LTCC-ceramics ซึ่งรวมถึงองค์ประกอบทั้งหมดของผ้า AFAR (องค์ประกอบที่ใช้งาน ตัวปล่อยเสาอากาศ การกระจายสัญญาณไมโครเวฟและระบบควบคุม แหล่งพลังงานสำรองที่ควบคุมตัวควบคุมดิจิทัล พร้อมวงจรอินเตอร์เฟส ระบบระบายความร้อนด้วยของเหลว) และเป็นอุปกรณ์ที่ครบฟังก์ชั่นการใช้งาน โมดูลสามารถรวมกันเป็นอาร์เรย์เสาอากาศขนาดใดก็ได้ และด้วยการบูรณาการภายในที่มีนัยสำคัญ ข้อกำหนดขั้นต่ำจะถูกกำหนดในโครงสร้างรองรับ ซึ่งจะต้องรวมโมดูลดังกล่าวเข้าด้วยกัน สิ่งนี้ทำให้ผู้ใช้ปลายทางสร้าง AFAR ได้ง่ายขึ้นตามโมดูลดังกล่าว
ต้องขอบคุณโซลูชันการออกแบบที่เป็นต้นฉบับและการใช้วัสดุใหม่และมีแนวโน้ม เช่น เซรามิกส์เผาร่วมอุณหภูมิต่ำ (LTCC) วัสดุคอมโพสิต โครงสร้างการระบายความร้อนด้วยของเหลวแบบไมโครแชนเนลหลายชั้นที่พัฒนาโดย JSC NIIPP ทำให้ APM ระนาบที่ผสานรวมสูงมีความโดดเด่นโดย:
JSC "NIIPP" พร้อมที่จะพัฒนาและจัดระเบียบการผลิตแบบอนุกรมของการรับส่งสัญญาณและส่งโมดูล AFAR ของแถบ S, C, X, Ku, Ka ตามความต้องการของลูกค้าที่สนใจ
JSC NIIPP มีตำแหน่งที่ก้าวหน้าที่สุดในรัสเซียและในโลกในการพัฒนาโมดูล APAR แบบระนาบโดยใช้เทคโนโลยี LTCC-ceramics
อ้าง:
ผลลัพธ์ของการวิจัยและพัฒนาที่ซับซ้อนในด้านการสร้างวงจรรวมเสาหินไมโครเวฟ GaAs และ SiGe ไลบรารีขององค์ประกอบและโมดูล CAD ดำเนินการที่ Tomsk University ของระบบควบคุมและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์วิทยุ
ในปี 2558 REC NT เริ่มทำงานเกี่ยวกับการออกแบบ MIC ไมโครเวฟสำหรับตัวรับส่งสัญญาณหลายช่องสัญญาณแบบหลายช่องสัญญาณสากล (L-, S- และ C-bands) ในรูปแบบของ "ระบบบนชิป" (SoC) จนถึงปัจจุบัน โดยใช้เทคโนโลยี SiGe BiCMOS 0.25 μm MIS ของอุปกรณ์ไมโครเวฟบรอดแบนด์ต่อไปนี้ (ช่วงความถี่ 1-4.5 GHz) ได้รับการออกแบบ: LNA, มิกเซอร์, ตัวลดทอนสัญญาณควบคุมแบบดิจิตอล (DCATT) รวมถึงวงจรควบคุม DCATT
เอาท์พุท: ในอนาคตอันใกล้ "ปัญหา" ของเรดาร์สำหรับ Yak-130, UAV, ผู้ค้นหา KR และ OTR จะได้รับการแก้ไขในระดับที่ร้ายแรงมาก ด้วยความน่าจะเป็นในระดับสูง จึงเป็นไปได้ที่จะสันนิษฐานว่า "ผลิตภัณฑ์ที่ไม่มีความคล้ายคลึงกันในโลกนี้" AFAR "ในหมวดน้ำหนัก" 60-80 กก. (เกี่ยวกับที่จำเป็นสำหรับมวลเรดาร์ Yak-130 220kg-270kg ฉันจะเงียบ)? ใช่ง่าย มีความปรารถนาที่จะได้รับ AFAR 30 กก. อย่างเต็มที่หรือไม่?
ในระหว่างนี้ … ในขณะที่ "เป็นกรณีนี้":
ยังไม่มีเครื่องบินซีเรียล สหพันธรัฐรัสเซียไม่ได้คิดแม้แต่จะขายให้จีนและอินโดนีเซีย (ที่นี่ จะดีกว่าถ้าจัดการกับ SU-35) อย่างไรก็ตาม … อย่างไรก็ตามตัวแทนของ Lockheed Martin และผู้เชี่ยวชาญ "จำนวนหนึ่ง" จากรัสเซีย ได้ทำนายไว้แล้ว: มันจะมีราคาแพงจะมีปัญหากับการขายให้กับจีนและอินโดนีเซีย จากประวัติศาสตร์ของ "ความล้าหลัง" ของ avionics รัสเซีย / โซเวียตสำหรับผู้เชี่ยวชาญ "จำนวน" "จากรัสเซียสำหรับการอ้างอิง:
GaN และโซลูชั่นที่แข็งแกร่งเป็นหนึ่งในวัสดุที่ได้รับความนิยมและมีแนวโน้มมากที่สุดในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ งานในทิศทางนี้ดำเนินการไปทั่วโลก มีการจัดการประชุมและสัมมนาอย่างสม่ำเสมอ ซึ่งมีส่วนช่วยในการพัฒนาเทคโนโลยีอย่างรวดเร็วสำหรับการสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้ GaN มีการค้นพบความก้าวหน้าทั้งในพารามิเตอร์ของโครงสร้าง LED ตาม GaN และสารละลายที่เป็นของแข็ง และในลักษณะของ PPM ที่อิงจากแกลเลียมไนไตรด์ ซึ่งเป็นลำดับความสำคัญที่สูงกว่าอุปกรณ์แกลเลียมอาร์เซไนด์
ในช่วงปี 2010 ทรานซิสเตอร์ภาคสนามที่มี Ft = 77.3 GHz และ Fmax = 177 GHz จะได้รับพลังงานมากกว่า 11.5 dB ที่ 35 GHz บนพื้นฐานของทรานซิสเตอร์เหล่านี้ เป็นครั้งแรกในรัสเซีย MIS ได้รับการพัฒนาและใช้งานสำเร็จสำหรับเครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบสามขั้นตอนในช่วงความถี่ 27–37 GHz พร้อม Kp> 20 dB และกำลังขับสูงสุด 300 mW ใน โหมดพัลส์ ตามโครงการเป้าหมายของรัฐบาลกลาง "การพัฒนาฐานส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์และวิทยุอิเล็กทรอนิกส์" คาดว่าจะมีการพัฒนางานวิจัยทางวิทยาศาสตร์และประยุกต์ต่อไปในทิศทางนี้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งการพัฒนา InAlN / AlN / GaN heterostructures สำหรับการสร้างอุปกรณ์ที่มีความถี่ในการทำงาน 30-100 GHz โดยมีส่วนร่วมขององค์กรและสถาบันชั้นนำในประเทศ (FSUE NPP Pulsar, FSUE NPP Istok, ZAO Elma-Malakhit, JSC "Svetlana-Rost", ISHPE RAS เป็นต้น)
พารามิเตอร์ของ heterostructures และทรานซิสเตอร์ในประเทศที่มีความยาวเกตที่เหมาะสมที่สุด (การคำนวณ):
จากการทดลองพบว่าสำหรับช่วงความถี่ Ka โครงสร้าง heterostructure ประเภท 2 ที่มี tb = 15 nm เหมาะสมที่สุด ซึ่งในปัจจุบัน V-1400 ("Elma-Malachite") บนพื้นผิว SiC มีพารามิเตอร์ที่ดีที่สุด ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงการสร้าง ของทรานซิสเตอร์ที่มีกระแสเริ่มต้นสูงถึง 1.1 A / mm ที่ความชันสูงสุดถึง 380 mA / mm และแรงดันคัทออฟ -4 V ในกรณีนี้ทรานซิสเตอร์แบบ field-effect กับ LG = 180 nm (LG / tB = 12) มี fT / fMAX = 62/130 GHz ในกรณีที่ไม่มีเอฟเฟกต์ช่องสัญญาณสั้นซึ่งเหมาะสมที่สุดสำหรับ PA PA-band ในเวลาเดียวกันทรานซิสเตอร์ที่มี LG = 100 นาโนเมตร (LG / tB = 8) บนโครงสร้างเฮเทอโรโครงสร้างเดียวกันจะมีความถี่สูงกว่า fT / fMAX = 77/161 GHz กล่าวคือสามารถใช้ในความถี่สูง V- และ E- แบนด์ แต่เนื่องจากเอฟเฟกต์ช่องสัญญาณสั้นนั้นไม่เหมาะสมสำหรับความถี่เหล่านี้
มาดู "เอเลี่ยน" ที่ล้ำหน้าที่สุดและเรดาร์ของเรากัน:
ย้อนยุค: เรดาร์ฟาโรห์-เอ็ม ซึ่งตอนนี้กลายเป็นอดีตไปแล้ว (มีการวางแผนที่จะติดตั้งบน Su-34, 1.44, Berkut) เส้นผ่านศูนย์กลางลำแสง 500 มม. ไฟหน้าไม่เท่ากัน "Phazotron" บางครั้งเธอก็ถูกเรียกว่า "Spear-F"
คำอธิบาย:
เทคโนโลยีระนาบ - ชุดของการดำเนินการทางเทคโนโลยีที่ใช้ในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ (พื้นผิวเรียบ, พื้นผิว) และวงจรรวม
แอปพลิเคชัน:
- สำหรับเสาอากาศ: ระบบเสาอากาศระนาบ BlueTooth ในโทรศัพท์มือถือ
- สำหรับตัวแปลง IP และ PT: หม้อแปลงระนาบ Marathon, Zettler Magnetics หรือ Payton
- สำหรับทรานซิสเตอร์ SMD
เป็นต้น ดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับสิทธิบัตรของสหพันธรัฐรัสเซีย RU2303843
LTCC เซรามิกส์:
Low Temperature Co-Fired Ceramic (LTCC) เป็นเทคโนโลยีเซรามิกที่เผาด้วยอุณหภูมิต่ำที่ใช้ในการสร้างอุปกรณ์ปล่อยคลื่นไมโครเวฟ รวมถึงโมดูล Bluetooth และ WiFi ในสมาร์ทโฟนหลายรุ่น เป็นที่รู้จักกันอย่างแพร่หลายในด้านการใช้ในการผลิตเรดาร์ AFAR ของเครื่องบินขับไล่ T-50 รุ่นที่ 5 และรถถัง T-14 รุ่นที่สี่
สาระสำคัญของเทคโนโลยีอยู่ที่ความจริงที่ว่าอุปกรณ์นั้นผลิตขึ้นเหมือนแผงวงจรพิมพ์ แต่อยู่ในแก้วละลาย "อุณหภูมิต่ำ" หมายความว่าการคั่วจะดำเนินการที่อุณหภูมิประมาณ 1,000C แทน 2500C สำหรับเทคโนโลยี HTCC เมื่อเป็นไปได้ที่จะใช้ส่วนประกอบอุณหภูมิสูงที่ไม่แพงมากจากโมลิบดีนัมและทังสเตนใน HTCC แต่ยังมีทองแดงราคาถูกกว่าในทองคำและเงิน โลหะผสม
